Os professores Ronan Viana e Francisco Nogueira, do Campus São Raimundo Nonato do IFPI, em parceria com o professor Alexandro Nascimento, do Campus Parnaíba do IFPI, e com os professores João Milton e Diego Rabelo, da Universidade Federal do Ceará (UFC), publicaram um trabalho intitulado “Gate potential-controlled current switching in graphene Y-junctions" (Chaveamento na corrente controlado por potencial de porta em junções Y de grafeno, em livre tradução), na revista Journal of Physics: Condensed Matter, periódico internacional na área de Física da Matéria Condensada.

No trabalho, que é parte da pesquisa de doutorado do Professor Ronan Viana sob supervisão dos professores da UFC, é apresentada uma proposta teórica de dispositivo eletrônico à base de grafeno, com potencial para aplicação em circuitos eletrônicos. Os pesquisadores investigaram de que forma a corrente através de uma junção Y de grafeno é afetada pela aplicação de um potencial de porta em um de seus terminais. Os resultados obtidos demonstraram que, devido ao comportamento peculiar dos portadores de carga no grafeno, é possível ajustar o índice de refração na região onde o potencial de porta é aplicado. Esse efeito possibilita controlar apropriadamente a corrente que atravessa a junção Y de grafeno.

O professor Ronan Viana é ex-aluno do Campus Parnaíba do IFPI, onde fez curso técnico em Eletrotécnica e graduação em Física. “A UFC é uma das instituições de maior destaque no Brasil no que diz respeito a pesquisas relacionadas ao grafeno, bem como outros materiais bidimensionais. Os dispositivos eletrônicos atuais à base de silício estão chegando no seu limite de miniaturização, o que tem levado pesquisadores e cientistas de todo o mundo a buscar materiais alternativos para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos", explicou.

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